重新聚焦活躍攻擊面，已知端點漏洞僅不到 9% 被鎖定為攻擊目標FortiGuard Labs 於 2022 年提出的紅區（Red Zone）概念，助大眾理解威脅者有多大的可能性利用特定漏洞。

他表示： 「美國人日常環境無論餐廳還是加油站，到處都有賭博遊戲機台。googletag.cmd.push(function() { googletag.display(div-gpt-ad-1703223425197-0); }); 科技進步及行動裝置普及，使賭博更趨多元及便利，從傳統賭場到線上賭博平台，手機運彩 App 和其他賭博遊戲，讓人隨時隨地簽賭投注，大大增加賭博便利性和滲透性。

伊利諾州成年人有 68% 一年內有參與某種形式賭博，4% 伊利諾州居民賭博上癮，另 7% 有賭博上癮風險，合計竟超過 110 萬人。可下注任何比賽，無論大聯盟棒球賽、競技格鬥或任何體育賽事。強森説：「你怎能不再賭一把？只要坐在沙發上拿出手機，簽賭一切所需都已就緒。比爾強森（Bill Johnson）是伊利諾州「問題賭博」（problem gambling）委員會名譽主席，是對賭博持中立態度的非營利組織。2022 年美國精神醫學會將賭博上癮與酒精、海洛因、安非他命等其他「藥物成癮」歸為同等級精神疾病。

強森說：「所有精神疾病自殺率最高的就是賭博上癮根據史丹佛大學（Stanford University）最新發布的「人工智慧指數報告」（AI Index Report），這份報告內關於全球對 AI 態度的調查，透漏了大眾對於 AI 未來影響的不同看法。現階段，隨著電子產品及設備的高速化、小型化、系統化、低成本化的要求不斷提高，傳統封裝的局限性越來越明顯，需求數量隨之下降。

(Source：科磊)與傳統封裝技術相比，先進封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗和功能融合等優點，不僅可以提升性能、拓展功能、最佳化形態，相比系統級晶片（SoC），還可以降低成本。在市場需求的推動下，傳統封裝業持續不斷創新、演變當中，進而出現了各種新型的封裝結構。傳統封裝主要是利用導線框架作為載體，採用導線鍵合互連的形式。googletag.cmd.push(function() { googletag.display(div-gpt-ad-1703223425197-0); }); 台積電 CoWoS 能在單一中介層並排放置更多處理器核心及高頻寬記憶體 (HBM)，藉台積電系統整合晶片 (SoIC) 3D 晶片堆疊領先解決方案，客戶趨向採用 CoWoS 搭配 SoIC 及其他元件，以實現系統級封裝 (System in Package，SiP) 整合。

也因此，儘管面臨晶圓廠跨入封測領域的威脅與風險，傳統封測廠因產品線多元且封裝型態複雜、量大有優勢，且積極開發新技術維持競爭力。台積電北美年度技術論壇發表多項先進半導體技術，除了備受矚目的埃米級 A16 先進製程，還有創新 NanoFlexTM 支援奈米片電晶體、N4C 製程、CoWoS、系統整合晶片、系統級晶圓 (SoW)、矽光子整合、車用先進封裝等，在在顯示先進封裝成為半導體業顯學。

傳統封裝通常是指先將晶圓片切割成單個晶片，再進行封裝的技術形式。反觀傳統封裝技術則以其低成本、製程相對單純、高成熟度等優點，在消費性電子、物聯網、汽車電子，甚至部分入門型智慧型手機的應用上仍占有其優勢，技術提供者仍是傳統封測廠。從應用領域來看，先進封裝技術主要應用在高性能、高整合度的設備中，如智慧型手機、伺服器、高性能計算設備等。雖然先進封裝有著性能與輕薄化的絕大優勢，但對於封測客戶而言，成本是更大的挑戰。

台積電量產首款 SoW 產品採邏輯晶片為主整合型扇出 (InFO) 封裝，運用 CoWoS 封裝技術的升級版將在 2027 年準備就緒。但其高成本和高技術要求，並非所有領域都將採用先進封裝技術。至於，系統級晶圓提供 12 吋晶圓容納大量晶粒，有更多運算能力，大幅減少資料中心空間，並將每瓦效能提升好幾級。然而，就連各大晶圓代工業者都如火如荼投入先進封裝技術發展下，傳統封測產業是否將面臨發展風險與結構重組，也成為整個業界關注焦點。

儘管先進封裝技術以其高整合度、高性能、低能耗等優點，正在逐漸取代傳統封裝在一些高階應用中的地位。▲ 各產品應用先進封裝演變。

而傳統封裝技術則更多的應用在成本敏感、技術要求不那麼高的領域，如消費電子、家用電器等。升級版透過整合 SoIC 技術、HBM 及其他元件，打造強大且運算能力媲美資料中心伺服器機架，甚至整台伺服器的晶圓級系統。

(Source：台積電)藉由先進封裝達到晶片運算效能的提升，不僅成為業界的發展主流，也成功為「摩爾定律」續命。由於複雜設計和製程，它的製造成本遠高於傳統封裝，並非所有應用都會採用先進封裝，特別是對於成本敏感的應用領域當然，真正原理並非膠水，而是透過兩個晶片覆蓋介電材料如二氧化矽 (SiO2)，介電材料嵌入與晶片相連的銅接點，接著將兩晶片接點面對合，再透過熱處理讓兩晶片銅接點受熱膨脹對接。另一方面，晶片更小接點間距意味相同尺寸，混合鍵合能做出更多 I/O 接點，甚至能在 1cm2 晶片做出百萬個 I/O 接點，相較傳統覆晶銲錫接合，接點數能提升千倍以上。而 SK 海力士在 2023 年即已打算將混合鍵合技術應用至 HBM4 產品。混合鍵合還能減少晶片機械應力，提升產品可靠性，同時支援更高的資料傳輸速度，以及達成更低能耗表現。

▲ AMD 3D V-Cache 3D 堆疊技術運用 Hybrid Bonding 和 TSV，打造高效能遊戲處理器。混合鍵合技術仍有多項挑戰待克服儘管混合鍵合備受業界期待，被視為是發展 3D  封裝下革命性技術，它也仍面臨多項技術發展的挑戰。

AMD 公開資料，相較微凸塊（Microbumps），3D V-Cache 混合鍵合加上 TSV，讓晶片接點密度提升 15 倍，互聯能效超過三倍。（Source：SK 海力士）而目前在 HBM 市場落後於 SK 海力士的三星，也在先前提出考慮在其 HBM4 的產品中，採用混合鍵合技術。

根據三星在 SAFE 論壇中公布的訊息，其 3D 堆疊封裝技術 X-Cube 也將採用混合鍵合技術，晶片連接間距能達到 4µm，預計推出時間是 2026 年。（首圖來源：英特爾）。

（Source：AMD）AMD 案例也顯示台積電憑 SoIC 解決方案混合鍵合關鍵，為晶片 I/O 提供鍵合間距的可擴展性，進而實現高密度晶片連接。（Source：英特爾）英特爾有望今年邏輯晶片與互連器先採用混合鍵合。同樣早早布局先進封裝的英特爾也在 2020 年的 Architecture Day 發表先進封裝採混合鍵合，計畫用於 3D 封裝 Foveros Direct，當時宣布同年試產混合鍵合晶片。另一方面，三星在晶圓代工領域的競爭對手台積電與英特爾都早已有混合鍵合技術商品化實例的同時，三星先進封裝解決方案中的混合鍵合技術消息卻相對有限。

從台積電最新北美技術論壇特別強調的技術，近一半篇幅與先進封裝有關，加上無論台積電、英特爾、三星甚至韓國政府，都計劃傾國家之力發展先進封裝，能看出半導體發展、晶片效能提升，先進封裝技術無疑扮演關鍵角色。隨著封裝技術從 2D 往 2.5D、3D 推進，晶片堆疊的連接技術也成為各家公司差異化與競爭力的展現。

另一方面，混合鍵合的製程需要 ISO3 以上的潔淨等級，對傳統封測廠廠來說將大幅增加成本，以及考驗其廠務和環境管控能力。Sony 2016 年為三星旗艦手機 Galaxy S7 Edge 生產的 IMX260 CIS，就採混合鍵合，將畫素層堆疊於 ISP（影像訊號處理器）上，達成接點間距僅 9µm 左右的里程碑。

同樣以堆積木概念想 HBM，相較傳統須透過鋼骨（TSV）穩固多層積木，混合鍵合就像膠水，能將每塊晶片以間距最小方式連在一起。HBM 將是混合鍵合下個里程碑當然，除了已用混合鍵合推出商用產品的 CIS 和 CPU，還有一個領域也積極開發混合鍵合新世代產品，就是需多層堆疊的 HBM 產品。

不過，晶片性能提升從過去僅掌握在製程演進手中，轉變為先進封裝扮演關鍵角色，已是產業共識。▲ SK 海力士的先進封裝發展中，同樣包含混合鍵合，它的 16 層 DRAM HBM4 產品也可能採用此技術。相較仍是封裝主流技術的凸塊（Bump）接合，混合鍵合最大優勢是縮小接點間距，以凸塊接合來說，最小接點間距約 20µm，但混合鍵合能縮小至 1µm 甚至更低。另外，透過混合鍵合製作銅接點傳遞訊號，不僅更穩定，耗能也只有微凸塊三分之一甚至更低，有助節能散熱。

而「混合鍵合」（Hybrid Bonding）就視為晶片連接的革命性技術。台積電、英特爾技術內涵與差距除了 CIS 領域，高階 CPU 產品是另一個採混合鍵合的大宗領域，這無疑是台積電的主場。

第一個採用這項先進封裝連接技術的 CPU 是 AMD 於 COMPUTEX 2021 發表的 3D V-Cache，就是台積電 SoIC 解決方案 Cu / Oxide Hybrid Bonding 高密度封裝，將快取記憶體（SRAM）堆疊於運算單元 CCX （CPU Complex）上，讓 CPU 獲更多 L3 快取記憶體容量。英特爾白皮書說 Foveros Direct 採晶粒對晶圓混合鍵合，間距預估 9µm，第二代產品縮小至 3µm。

CIS 成混合鍵合商用化的第一個領域，Sony 擁關鍵技術儘管，讓先進封裝真正聲名大噪並備受關注與追逐的產品是 AI 晶片，然而，第一個採用混合鍵合的商用化產品其實是搭載智慧手機的影像感測器（CIS），採混合鍵合量產最多晶片的公司並非目前代工龍頭台積電，而是專精影像感測器的 Sony。▲ 晶片連接間距隨著鍵合技術發展而大幅縮小，10µm 以下間距就是 Hybrid Bonding 的主戰場。